[9a-M121-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9a-M121-7] Changes in Capacitance-Voltage Characteristics of Al₂O₃/GaN MOS Diodes Due to Gamma-Ray Irradiation

〇(M1)Keito Aoshima¹, Shota Kaneki², Masahiro Horita^1,3, Jun Suda^1,3, Tamotsu Hashizume² (1.Nagoya Univ., 2.RCIQE, Hokkaido Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium nitride, gamma-ray, MOS

ALD堆積Al₂O₃/GaN MOSダイオードにおいて大気Post-Metallization-Anneal (PMA)処理によりC-V特性の改善が報告されているが、そのメカニズムは不明である。他方、我々は、ガンマ線照射によりn型GaNエピ層中に形成される電子トラップの評価や、ガンマ線照射による市販GaN HEMTのデバイス特性変化について研究を進めてきた。今回はPMA処理あり・なしのAl₂O₃/GaN MOSダイオードを用意し、それらに様々な照射量でガンマ線を照射し、C-V特性変化を詳しく調べたので報告する。