[9a-M121-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9a-M121-8] Improved insulator/semiconductor interfaces in Al₂O₃/AlGaN/GaN structures by AlGaN layer regrowth

〇(M1C)Shinsaku Kawabata¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Akio Yamamoto¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ)

Keywords:GaN, regrowth, insulator/semiconductor interfaces

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代のパワー半導体として期待されている。しかし安全面の観点より、ノーマリーオフ動作が要求される。これを実現するため、リセスゲート構造を形成し、絶縁膜を堆積するプロセスが用いられている。絶縁膜界面特性とトランジスタの安定性には密接な関係があると考えられるため、絶縁膜/AlGaN界面の特性を向上させることは重要である。本研究では有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて、再成長AlGaN層を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のキャパシタを試作し、C-V特性について検討したので報告する。