[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9a-M121-7] ガンマ線照射によるAl₂O₃/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化

〇(M1)青島 慶人¹、金木 奨太²、堀田 昌宏^1,3、須田 淳^1,3、橋詰 保² (1.名大院工、2.北大量エレ研、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、ガンマ線、MOS

ALD堆積Al₂O₃/GaN MOSダイオードにおいて大気Post-Metallization-Anneal (PMA)処理によりC-V特性の改善が報告されているが、そのメカニズムは不明である。他方、我々は、ガンマ線照射によりn型GaNエピ層中に形成される電子トラップの評価や、ガンマ線照射による市販GaN HEMTのデバイス特性変化について研究を進めてきた。今回はPMA処理あり・なしのAl₂O₃/GaN MOSダイオードを用意し、それらに様々な照射量でガンマ線を照射し、C-V特性変化を詳しく調べたので報告する。