[9a-PA1-1~13] 9.4 Thermoelectric conversion

[9a-PA1-6] Thermal Voltage in Thermoelectric Thin Film with pn Junction

〇Hoshito Murakawa¹, Mutsunori Uenuma¹, Kenta Umeda¹, Jenichi Felizco¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:Thermoelectric, pn Junction, Thin Film

本研究室では、薄膜型熱電変換素子の実現に向けて研究しており、これまでにアモルファスInGaZnO (IGZO)薄膜を用いたn型のみの薄膜型TEGについて動作実証を行ってきた。薄膜型TEGの出力電力密度を上げるためには、p型とn型の両方の材料を用いた構造が有効であると考えられる。しかし、pn接合部を有する熱電材料については報告が少なく、詳細な研究が必要である。そこで本研究では、pn接合を持つ試料を作製し、熱起電力に対するpn接合の影響について評価した。