[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-13] MGy領域における4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

〇武山 昭憲¹、清水 奎吾²、牧野 高紘¹、山﨑 雄一¹、大島 武¹、黒木 伸一郎³、田中 保宣² (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、ガンマ線照射

炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET)に室温で⁶⁰Coガンマ線を2.2 MGyまで照射し、電気特性の変化を調べた。その結果、ドレイン電流-ゲート電圧(I_D-V_G)特性やしきい値電圧(V_th)に顕著な変化は見られず、この程度の線量ではSiC JFETの特性がほぼ変化しないことを明らかにした。発表では、さらに高線量域の実験結果について報告する。