[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-15] Power cycling lifetime improvement of SiC-MOSFETs by annealing treatment

〇Tatsuhiro Suzuki¹, Mari Yamashita¹, Nobuo Kojima¹, Satoshi Tanimoto^1,2, Kan Akatsu² (1.PEAL, NISSAN ARC, 2.Shibaura Inst. Tech.)

Keywords:power cycling test, anneal, thermal stress

パワー半導体の信頼性評価として、チップ自体を繰り返し通電発熱させるパワーサイクル試験が行われている。発熱体であるチップの周辺には熱応力が発生し、劣化が進む。この劣化には、実装時の種々の残留応力も影響していると考えられる。本研究では、アニール処理がSiC-MOSFETの試験寿命に及ぼす効果を調べた。175℃25時間のアニール処理を行ったところ、パワーサイクル試験故障サイクル数が3倍以上と、大幅に寿命が向上したので報告する。