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[9a-PB3-15] SiC-MOSFETのアニール処理によるパワーサイクル試験耐性の向上
キーワード:パワーサイクル試験、アニール、熱応力
パワー半導体の信頼性評価として、チップ自体を繰り返し通電発熱させるパワーサイクル試験が行われている。発熱体であるチップの周辺には熱応力が発生し、劣化が進む。この劣化には、実装時の種々の残留応力も影響していると考えられる。本研究では、アニール処理がSiC-MOSFETの試験寿命に及ぼす効果を調べた。175℃25時間のアニール処理を行ったところ、パワーサイクル試験故障サイクル数が3倍以上と、大幅に寿命が向上したので報告する。