[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-15] SiC-MOSFETのアニール処理によるパワーサイクル試験耐性の向上

〇鈴木 達広¹、山下 真理¹、児嶋 伸夫¹、谷本 智^1,2、赤津 観² (1.日産アーク・パワエレ解析室、2.芝浦工大・SIT総研)

キーワード：パワーサイクル試験、アニール、熱応力

パワー半導体の信頼性評価として、チップ自体を繰り返し通電発熱させるパワーサイクル試験が行われている。発熱体であるチップの周辺には熱応力が発生し、劣化が進む。この劣化には、実装時の種々の残留応力も影響していると考えられる。本研究では、アニール処理がSiC-MOSFETの試験寿命に及ぼす効果を調べた。175℃25時間のアニール処理を行ったところ、パワーサイクル試験故障サイクル数が3倍以上と、大幅に寿命が向上したので報告する。