[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-16] High Temperature Switching Test of SiC-MOSFET Half-Bridge Power Modules installed in In-Wheel Motor

〇Satoshi Tanimoto^1,3, Mari Yamashita¹, Nobuo Kojima¹, Tastuhiro Suzuki¹, Sawa Araki¹, Shinji Sato², Kan Akatsu³ (1.PEAL, NISSAN ARC, 2.ADPERC, AIST, 3.Shibaura Inst. Tech.)

Keywords:power module, high temperature, switching test

この度、NEDO-SIP機電一体EVインホイールモータ（IWM）内部に組み込むトランスファーモールド超小型SiC-MOSFETハーフブリッジパワーモジュール(HBPM)試作品の高温スイッチング（SW）試験を実施したところ、最大目標ケース温度T_C = 200℃まで極めて安定にturn-on, turn-offできること確認したので報告する。試験はダブルパルス試験であって、典型的なSW条件は600 V, 105～115Aであった。使用状況では起りえないより過酷な条件： T_C = 250℃, 600 V, 150 AでのSWも達成した。