[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-17] Metallized ceramic substrate/baseplate structure using Cr-Cu/Cu clad material applicable to power module

〇Nobuo Kojima¹, Mari Yamashita¹, Tatsuhiro Suzuki¹, Sawa Araki¹, Satoshi Tanimoto^1,2, Kan Akatsu² (1.NISSAN ARC, 2.Shibaura Inst. Tech.)

Keywords:power module, base plate, thermal cycle test

次世代パワー半導体のパワーモジュール（PM）冷却系への適用を目的に、前報で筆者らはPMメタライズ絶縁基板/ベースプレート（Sub/BP）構造を提案し、冷熱サイクル試験（-40℃～200℃; 3,000サイクル）に耐えるSub/BP構造を得ることに成功した。しかし、BPにはCu-Mo合金層をCu層でサンドイッチしたCPCクラッド板を使用しているため、原材料および製造のコストが高いという課題があった。そこで、CPCクラッド板よりも低コストかつ熱機械特性が同程度のCr-Cu/Cuクラッド材を用いたBPで検討した。結果、Cr-Cu/CuのBPは冷熱サイクル試験500サイクルまでは耐久性を有することを確認した。