[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-2] Thick epitaxial growth on 4H-SiC C-face on-axis substrates

〇Keiko Masumoto¹, Kazutoshi Kojima¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST)

Keywords:SiC, spiral growth, epitaxial growth

SiCを用いた超高耐圧デバイスの普及のためには低コスト化が必須である。そこで、CVD法を用いてSiC基板上に厚膜エピ層を成長し、剥離によりエピ層を自立化し、自立エピ層にデバイス構造を作製する手法を提案する。これには厚膜成長が必要となるため、ステップ端から成長が破綻しないスパイラル成長に着目し、on-axis基板上にエピ成長を行っている。今回、210 μm厚の成長を行い、レーザー照射によりエピ層を基板から剥離することに成功した。