[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-3] THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価

〇佐藤 希一¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、毛利 真一郎¹、石地 耕太郎²、岩本 敏志³、杉江 隆一⁴ (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)

キーワード：SiC、THzエリプソメトリー、イオン注入

我々は3層構造の4H-SiCに低濃度イオン注入を行い、THz-TDSEを用いた注入層の電気特性解析を計画している。今回はその前段階として注入前の4H-SiCをTHz-TDSEによる電気特性評価が可能であるか検討を行った。本報告ではバッファ層の電気特性評価に焦点を当てている。解析の結果、電気特性はエピ層、バッファ層ともに妥当な値となった。この結果から、THz-TDSEはエピ層とバッファ層の電気特性を同時に評価可能であると考えている。