[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-4] Behavior of Surface Organic Contaminants on 4H-SiC Substrate

〇Haruto Koriyama¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:SiC Surface, Surface Organic Contaminants, XPS

炭化シリコン(SiC)を電子デバイスへ応用する上で、基板表面の清浄化は重要である。通常基板は、いつかの化学洗浄を行った後用いられるが、その基板試料をX線光電子分光(XPS)で調べると、C 1s内殻準位スペクトルにSiCバルク成分とは異なる化学シフト成分が観測される。この成分は真空中400℃程度で加熱すると消失することから、表面に付着した有機物成分と考えられるが、その詳細は不明である。本研究は、いくつかの試料処理を行い、この化学シフト成分の挙動を調べたので報告する。