[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-6] イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化

〇(B)岡田 智徳¹、井上 純¹、西山 文隆¹、瀬崎 洋²、黒木 伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテックセミコン)

キーワード：SiC、イオン注入

イオン注入角を制御し、4H-SiC基板へのイオン注入のドーピング・プロファイルの改善を試みた。