[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-7] 4H-SiC CMOS論理回路作製に向けたBOSCHプロセスによるSiCディープエッチング

〇(B)森本 剣偲郎¹、村岡 幸輔¹、児島 一聡²、黒木 伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.産総研)

キーワード：半導体、エッチング、トレンチ

CMOS論理回路作製に必要なWell構造形成を4H-SiCに対して行った。マスクはネガ型厚膜フォトレ
ジストを用いBOSCHプロセスでエッチングを行うことで、約85°の急峻な角度を持つトレンチを形成できることを示した。