[9a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [9a-W541-10] 【Highlight】Relationship between reverse leakage current of p-n diodes on GaN free-standing substrate and Mg existing around threading screw dislocations

〇Shigeyoshi Usami¹, Atsushi Tanaka^2,3, Norihito Mayama⁴, Kazuya Toda⁴, Yoshihiro Sugawara⁵, Yao Yongzhao⁵, Yukari Ishikawa⁵, Yuto Ando¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,6,7 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.Toshiba Nanoanalysis Corp., 5.JFCC, 6.ARC, 7.VBL)

Keywords:3DAP, p-n diodes, reverse leakage

本講演では漏れる螺旋転位と漏れない螺旋転位を決定する要因として不純物に着目し、3次元アトムプローブを用いて貫通転位周りのMgおよびO、Cとリークの関係について報告する。