[9a-W611-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[9a-W611-8] SiN/AlO/Si膜の電界効果パッシベーションのLTEMによる評価

〇望月 敏光¹、伊藤 明²、棚橋 克人¹、中西 英俊²、川山 巌³、斗内 政吉³、白澤 勝彦¹、高遠 秀尚¹ (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、テラヘルツ、PERCセル

SiN/AlOパッシベーション膜について、その電界効果のSiNおよびAlO膜厚依存性をレーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)により評価した。p型結晶Si上に成膜した場合、AlOが厚くなるにつれ連続的に負の膜中電荷が増加し表面の空間電荷層が空乏層から蓄積層に遷移するのとは対照的にSiN膜厚依存性は殆ど無く、AlOは膜中に負の、SiNはAlOとの界面に正の固定電荷を持つことが分かった。