[9p-M103-1~16] 2.3 放射線応用・発生装置・新技術

[9p-M103-4] パワー半導体デバイスの放射線応答

〇笹野 理¹、林 真照¹、東 哲史¹、澤 良次¹ (1.三菱電機株式会社)

キーワード：半導体、MOSFET

産業利用されている半導体デバイスは環境の放射線による影響を受けることが知られている。今回は鉄道や自動車など広い分野への普及が期待されるパワー半導体デバイス（MOSFET）に放射線を照射したときの応答を発生電荷量の頻度分布として測定を行った。またGeant4を用いてシミュレーションを行い、測定とシミュレーションとの比較し一致することを確認した。本講演では測定結果及びシミュレーションとの比較結果を報告する。