[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-1] バルクSi基板へのホットC^＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性

〇山本 将輝¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：半導体、SiC、量子ドット