13:15 〜 13:30 [9p-M114-1] バルクSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ):面方位依存性 〇山本 将輝1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)