[9p-M114-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9p-M114-4] Impurity Doping with High Concentration Using Flash Lamp Annealing and Sol-Gel Coating (SGC)

〇Hideaki Tanimura¹, Kazuhiko Fuse¹, Takayuki Aoyama¹, Shinichi Kato¹, Yasuhide Nozaki¹ (1.SCREEN Semiconductor Solutions)

Keywords:Flash Lamp Annealing (FLA), Solid state doping

高性能デバイス作製のためには、不純物の高濃度導入が鍵となる。これを可能とする不純物導入手法の一つに、Sol-Gel Coating (SGC)が挙げられる。我々はこれまでに、ヒ素(As)含有SGCに対しFLA処理を行うことで高濃度・高活性な接合形成を報告した。本報告では、より高濃度に不純物を導入する手法に加え、ホウ素(B)含有SGCを用いた実験結果について報告する。