[9p-M114-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9p-M114-6] 高誘電率絶縁膜を用いたCu-MIC 4端子poly-Ge_xSn_1-xTFTの開発

〇宮崎 僚¹、内海 大樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：ゲルマニウムスズ、高誘電率絶縁膜、4端子薄膜トランジスタ