[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9p-M121-10] Al₂O₃ MOSゲートFP-HEMTのオン耐圧評価

〇(M1C)西谷 高至¹、山口 良太¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、MOS、フィールドプレート

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性をもつ次世代のパワー半導体として期待されている。我々はゲート電極にフィールドプレート(FP)構造を導入することにより、電流コラプスを抑制できることを報告してきた。またFPを用いることによるオフ耐圧向上は各所で報告されているが、オン耐圧に関する詳細な評価はなされていない。本研究ではFP構造をもつAlGaN /GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびオン耐圧特性を検討したので報告する。