[9p-M121-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9p-M121-12] Characterization of Al₂O₃/AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates

〇Shota Kaneki¹, Yuji Ando¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, MOSHEMT, Interface states

本発表では低転移GaN自立基板上にAl₂O₃/AlGaN/GaN MOSHEMTを作製し評価を行った。その結果、PMA後の試料でSS値68mV/decの非常に良好なサブスレショルド特性が確認された。また、温度変化に対してもしきい値電圧シフトが小さい極めて安定な電気特性を示し、既存の異種基板上MOSHEMTに対する優位性が示された。