[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-6] GaN -MOSFETの Hall測定

〇上野 勝典¹、松山 秀昭¹、田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹、堀田 昌宏²、須田 淳²、中川 清和³ (1.富士電機（株）、2.名大院工、3.山梨大)

キーワード：GaN、MOSFET、Hall測定

GaN系FETは絶縁ゲート駆動でノーマリーオフ型が望まれ、これらを実現可能なMOSチャネルの特性制御は重要な要素技術である。MOSFETの移動度向上が今後望まれるが、その律速要因が何かを知ることが重要である。MOSFETのHall測定を行ったのでその結果について報告する。