The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[9p-PA1-1~28] 6.4 Thin films and New materials

Sat. Mar 9, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PA1 (PA)

1:30 PM - 3:30 PM

[9p-PA1-26] Epitaxial growth of VO2 thin films by Mist CVD Method

Makoto Kimura1, Takumi Ikenoue1, Masao Miyake1, Tetsuji Hirato1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Epitaxial growth, Vanadium Dioxide

大気圧プロセスであるミスト CVD 法を用いて VO2 のエピタキシャル成長を実現した。成膜条件を最適化することで r 面 Al2O3 基板に Rutile-VO2[03](231)//Al2O3[110](12) および Rutile-VO2[013](23)//Al2O3[110](12) の方位関係で成長したこと、また常温と 100℃ 間で電気抵抗が 4 桁変化したことが確認された。