[9p-PA1-1~28] 6.4 Thin films and New materials

△ [9p-PA1-26] Epitaxial growth of VO₂ thin films by Mist CVD Method

〇Makoto Kimura¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹, Tetsuji Hirato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Epitaxial growth, Vanadium Dioxide

大気圧プロセスであるミスト CVD 法を用いて VO₂ のエピタキシャル成長を実現した。成膜条件を最適化することで r 面 Al₂O₃ 基板に Rutile-VO₂[03](231)//Al₂O₃[110](12) および Rutile-VO₂[013](23)//Al₂O₃[110](12) の方位関係で成長したこと、また常温と 100℃ 間で電気抵抗が 4 桁変化したことが確認された。