[9p-PA4-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9p-PA4-22] AlドープZnO薄膜の電気的特性の径方向分布に及ぼすスパッタRF電力及びHe希釈の効果

〇諏訪 翁紀¹、今泉 悟¹、津田 和希¹、中村 忠¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：径方向分布、He希釈、アルミニウムドープ酸化亜鉛

AlドープZnO薄膜は低い抵抗率(≦10^-3Ωcm)と可視光領域(400 ~ 800 nm)における約80%の光透過率を有することから透明導電膜の材料として注目されているが, マグネトロンスパッタにおける導電性の径方向不均一性が問題視されている. 本研究では, RFマグネトロンスパッタを用いてAZO薄膜を堆積する際に, スパッタガスとしてArガスに加えてHeガスを導入することにより, 基板へ入射する高エネルギー粒子に起因するダメージを低減し抵抗率の径方向分布を改善することを目的とした.