[9p-PB1-1~80] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[9p-PB1-9] The optimization of fabrication conditions of FeNi layer growth on nitrogen-adsorbed Cu (001)

〇(M1C)Yuki Takahashi^1,2, Kaishu Kawaguchi², Takuma Hattori², Takushi Iimori², Toshio Miyamachi², Masato Kotsugi¹, Fumio Komori² (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.ISSP, Univ. of Tokyo)

Keywords:nitrogen surfactant effect, L10-FeNi, rare metal free

L1₀型FeNi規則合金は高性能なレアメタルフリー新規磁性材料として注目を集めており、これまで分子線エピタキシー(MBE)法を用いた単原子交互積層による薄膜の作製が行われたが、単純なMBE法では高い規則度を有したL1₀-FeNiの作製に限界があった。そこで我々は膜成長時の界面拡散を窒素の導入によって抑えられることから原子レベルでの構造制御が期待される窒素サーファクタント効果を利用し、Cu (001)基板上に高い規則度のFeNi二原子層の成長を試みた。