[9p-PB3-1~28] 12.1 作製・構造制御

△ [9p-PB3-1] 2D-GIXDによるエピタキシャル薄膜の構造評価

〇照井 大貴¹、小金澤 智之²、廣沢 一郎²、葛原 大軌¹、吉本 則之¹ (1.岩手大院総合、2.高輝度光科学研究セ)

キーワード：2D-GIXD、有機半導体、エピタキシャル成長

エピタキシーを利用した真空蒸着法は、基板と有機分子の相互作用を活用して配向性を制御する手法として有効である。しかし、有機薄膜のエピタキシャル成長の制御技術は十分に確立されていない。そこで、本発表では、有機半導体薄膜のエピタキシャル成長の機構の解明を目的として、mica上にPTCDA薄膜を真空蒸着により作製し、2D-GIXDにより構造評価を行った。その結果、PTCDAはmica上でエピタキシャル成長し結晶性が向上していることを確認した。