[9p-PB4-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[9p-PB4-9] DCｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ法による赤外ﾌｨﾙﾀｰ用a-Si:H の作成と評価

〇川又 由雄¹、伊藤 浩¹ (1.東京高専)

キーワード：水素化アモルファスシリコン、スパッタリング、基板温度

近年、近赤外領域の光学積層フィルターにa-Si:Hの成膜が求められているが特性安定性、生産性に課題があった。そこで今回工業化に適したDCスパッタリング法により水素添加a-S:Hを成膜し、光学積層フィルターへの適応可能性を検討した。特にリモコン等で使用される波長940 nm領域の光学吸収特性を調査した結果H2添加及び加熱成膜，Post annealにより近赤外(λ940nm)の光学吸収が減少することが確認出来、損失の少ない光学積層フィルター作成の可能性が示唆されたので報告する。