[9p-PB4-1~11] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[9p-PB4-8] Crystallization of nanocrystalline Si thin films by flash lamp annealing

〇Aimi Yago¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:flash lamp annealing, Si thin films

本研究では、FLAにより微結晶Siの結晶化が可能か調べるとともに、様々なFLA条件による依存性を調べた。ラマンスペクトルより、照射強度の増加に伴い、結晶化度の増大や半値幅の減少がみられた。これらのことからFLAにより微結晶Siの大粒径化が可能なことを明らかにした。また、照射回数を増やしても大幅な結晶化度の向上はなく、飽和することがわかった。一方、結晶化の際にSi膜に亀裂が発生したため、亀裂制御が必要である。