[9p-PB6-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[9p-PB6-5] Control of Work Function of Tungsten oxide Films for Silicon Heterojunction Solar Cell

〇Yoji Yasuda¹, Junpei Terada¹, Kazuki Matsumoto¹, Takayuki Uchida¹, Shinsuke Miyajima², Yuta Shiratori², Yoichi Hoshi¹ (1.Tokyo Polytechnic Univ., 2.School of Engineering, Tokyo Tech.)

Keywords:Silicon Heterojunction Solar Cell, Tangsten oxide, Work function

現在、シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の正孔選択層であるp-a-Si:Hの代替材料として酸化タングステン(WO₃)膜が注目されている。我々の研究室ではその応用に向け検討を始めたが、スパッタ時にターゲットから放出される酸素負イオンや二次電子による基板衝撃によって下地層のa-Si:Hにダメージを与える可能性が指摘されている[1]。そこで我々は低ダメージ対向ターゲット式スパッタによる堆積を試みてきた。SHJ太陽電池の正孔選択層に利用するためには膜の仕事関数や酸素欠陥が大きな影響を与えると考えているが未だ詳細な検討はされていない。本研究では、堆積したWO₃薄膜の仕事関数が表面処理を施すことでどのように変化するか調べることで、正孔選択層WO₃膜の仕事関数の制御方法について検討したので報告する。