[9p-PB6-1~15] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[9p-PB6-8] Changes in the conductivity of n-type a-Si by B Cat-Doping

〇Taiyo Tsurugai¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Cat-CVD, Cat-Doping, amorphous silicon

カウンタードープへの展開を目指しn型a-SiへのBのCatドーピングによる導電率の変化を調査した。石英ガラス基板上のn型および真性a-Si膜にBのCatドーピングを行い、コプラナー電極を蒸着し導電率を測定した。真性a-Siではドーピング時間の増大に伴い導電率が単調に上昇しており、n型a-Siでも導電率の変化が確認できた。元のn型a-Siより導電率が低下したのは、BのCatドーピングにより電子が補償されたためと考えられる。