[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-12] HVPE (001) β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係

〇嘉数 誠¹、片桐 英鉄¹、佐々木 公平²、川崎 克己³、平林 潤³、山腰 茂伸⁴、倉又 朗人² (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK、4.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス、欠陥

酸化ガリウムSBDのエミッションスポット密度と逆方向リーク電流値との間に明確な相関を確認したので報告する