[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-13] 酸素負イオン照射による錫添加 In₂O₃ 薄膜における広範囲キャリア密度制御

〇古林 寛¹、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研)

キーワード：酸化インジウム、キャリア制御、酸素負イオン

錫添加 In₂O₃ (以下、ITO) は高い透明性と優れた電気伝導性を有し、資源問題を抱えつつも透明導電膜として最も広く用いられている。キャリア密度制御は膜原料内のドナー濃度や成膜後の熱処理による報告が多いが、既に結晶化させた ITO 膜におけるキャリア密度の大幅な制御に関する報告例は殆ど無い。本研究では、酸素負イオン (O⁻)を駆使することにより、ITO のキャリア密度を大幅な量(9.3 × 10²⁰ cm^-3 → 1.2 × 10¹⁹ cm^-3)において制御することに成功した。