[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-3] 結晶性IGZO膜の構造解析と電気特性

〇生内 俊光¹、保坂 泰靖¹、岡崎 健一¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、ナノクリスタル

これまでにスパッタで作製したIGZO膜に対して極微電子線回折（Nano Beam Electron Diffraction：NBED）分析を行うと少なくともナノメートルオーダーの結晶が認められることを報告している。今回、IGZO成膜条件を変えたときの結晶性の評価をNBED分析により行った。その結果、成膜条件によってNBEDの回折パターンのスポットに違いが認められた。当日は成膜条件を変化させたIGZO膜の結晶性とFET特性について報告する。