[9p-S011-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-S011-5] Crystal Orientation of NiO Thin Films Formed on (001) β-Ga₂O₃ Substrates

〇Shinji Nakagomi¹, Takashi Yasuda¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:NiO, Ga2O3

(001)面β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向について検討した結果、我々が以前調べた(100), (010), (-201)基板上と同様に、 NiO (100)‖β-Ga₂O₃ (100)かつNiO [011]‖β-Ga₂O₃ [001]の関係を保って成長することがわかった。