[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-5] (001) β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性

〇中込 真二¹、安田 隆¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ニッケル、酸化ガリウム

(001)面β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向について検討した結果、我々が以前調べた(100), (010), (-201)基板上と同様に、 NiO (100)‖β-Ga₂O₃ (100)かつNiO [011]‖β-Ga₂O₃ [001]の関係を保って成長することがわかった。