[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-6] 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

〇嶋 紘平¹、小島 一信¹、秩父 重英¹ (1.東北大多元研)

キーワード：酸化ニッケル、ヘリコン波励起プラズマスパッタ、p型透明導電膜

NiOは、禁制帯幅が約4 eVの半導体でありp型導電性を示すため、p型透明導電膜としての応用が期待される。本研究では、プラズマ損傷が少ない反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によりp型NiO堆積を試みた。