2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-S011-1~13] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:15 S011 (南講義棟)

浦岡 行治(奈良先端大)、大島 孝仁(佐賀大)

15:15 〜 15:30

[9p-S011-7] Growth of Tin Oxide Film with Buffer Layer on Sapphire Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition

Thant Zin Win1、Takumi Furukawa1、Yudai Tanaka1、Koshi Okita1、Koji Sue2、Zenji Yatabe1,3、Yusui Nakamura1,4,5 (1.GSST, Kumamoto Univ.、2.Fac. of Eng., Kumamoto Univ.、3.POIE, Kumamoto Univ.、4.FAST, Kumamoto Univ.、5.Kumamoto Phoenics)

キーワード:SnO2, buffer layer, mist-CVD