Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:45 S221 (S221)

井田次郎(金沢工大)、田岡紀之(産総研)

16:15 〜 16:30

〇(D)Jihee Jeon¹、Shigehisa Shibayama¹、Osamu Nakatsuka^1,2、Shigeaki Zaima³ (1.Nagoya Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.、3.IIFS, Nagoya Univ.)

キーワード：Ge, n-type doping