[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-11] Spin on Glassからの固相拡散によるGe中のn型不純物拡散挙動

〇高口 遼太郎¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学)

キーワード：Spin on Glass、不純物拡散、トンネルFET

Ge p-TFETの特性向上のためには、欠陥が少なく高濃度で急峻な不純物分布をもつn⁺-p接合形成が必須である。本研究では、SOGからの固相拡散によってGe中へn型不純物を導入し、n型不純物拡散のモデル化を行うことで、分布の急峻化のための指針を得ることを目的とする。結果として、真性キャリア濃度の影響の少ない低温の拡散が有利であるという知見を得た。