[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-14] F.G.アニールによるMoSi₂/スパッタMoS₂界面コンタクト抵抗低減

〇(DC)松浦 賢太朗¹、濱田 昌也¹、坂本 拓朗¹、谷川 晴紀¹、宗田 伊理也¹、石原 聖也²、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、小椋 厚志²、若林 整¹ (1.東京工業大学、2.明治大学)

キーワード：二硫化モリブデン、二珪化モリブデン、コンタクト抵抗