[9p-S221-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[9p-S221-15] Effect of Surface Electric Field on Sensor Response of SAM modified MOSFET

〇Shunsuke Kuramoto¹, Noriaki Ibe¹, Takuya Sobue¹, Kazuki Hagiwara¹, Takahisa Tanaka¹, Tsunaki Takahashi², Takeshi Yanagida², Ken Uchida¹ (1.Keio Univ., 2.Kyushu Univ.)

Keywords:MOSFET, Self-Assembled Monolayer, Electric Field

SAM修飾MOSFET型センサにおいて，電界の影響はこれまでにほとんど調べられていない．そこで，SAM修飾MOSFET型センサを作製し，電界が及ぼす影響を水蒸気を標的分子として調べた．ゲート電圧を2種類の方法で印加しドレイン電流の変化を測定することで，電界の大きさと向きの違いによってセンサ応答に違いが出ることを明らかにした．また，極性分子を検知するために，最適なゲート電圧の与え方があることを示した．