The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[9p-S221-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Sat. Mar 9, 2019 1:45 PM - 5:45 PM S221 (S221)

Jiro Ida(Kanazawa Inst. of Tech.), Noriyuki Taoka(AIST)

5:30 PM - 5:45 PM

[9p-S221-15] Effect of Surface Electric Field on Sensor Response of SAM modified MOSFET

Shunsuke Kuramoto1, Noriaki Ibe1, Takuya Sobue1, Kazuki Hagiwara1, Takahisa Tanaka1, Tsunaki Takahashi2, Takeshi Yanagida2, Ken Uchida1 (1.Keio Univ., 2.Kyushu Univ.)

Keywords:MOSFET, Self-Assembled Monolayer, Electric Field

SAM修飾MOSFET型センサにおいて,電界の影響はこれまでにほとんど調べられていない.そこで,SAM修飾MOSFET型センサを作製し,電界が及ぼす影響を水蒸気を標的分子として調べた.ゲート電圧を2種類の方法で印加しドレイン電流の変化を測定することで,電界の大きさと向きの違いによってセンサ応答に違いが出ることを明らかにした.また,極性分子を検知するために,最適なゲート電圧の与え方があることを示した.