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一般セッション(口頭講演)

[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:45 S221 (S221)

井田次郎(金沢工大)、田岡紀之(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[9p-S221-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ZrO2 による EOT スケーリングを用いた Planar-type 量子井戸 InGaAs TFET の性能向上

〇安大煥¹、尹尚希¹、加藤公彦¹、福井太一郎¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

14:00 〜 14:15

[9p-S221-2] 超平坦ZnSnOチャネルによる積層型TFETサブスレショルド特性の改善

〇加藤公彦¹、松井裕章¹、田畑仁¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

[9p-S221-3] Zn(Sn)O/Si積層型TFET特性の温度依存性と動作機構の理解

〇加藤公彦¹、松井裕章¹、田畑仁¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

14:30 〜 14:45

[9p-S221-4] 量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討

〇野上直哉¹、福田浩一^1,2、宮本恭幸¹ (1.東工大工、2.産総研)

14:45 〜 15:00

[9p-S221-5] Trap-Assisted Tunnelingを活用したTunnel-FET：“TAT-FET”のデバイス物理

〇宝玉充¹、久木田健太郎¹、上地忠良¹、泉田貴士¹、谷本弘吉¹、青木伸俊¹、尾上誠司¹ (1.東芝メモリ)

15:00 〜 15:15

▼ [9p-S221-6] Steep Slope (<60mV/dec) and Hysteresis Characteristics in Junctionless SOI Transistors
at Low Drain Voltage of 50mV

〇(D)Minju Ahn¹、 Kiyoshi Takeuchi¹、 Takuya Saraya¹、 Masaharu Kobayashi¹、 Toshiro Hiramoto¹ (1.Institute of Industrial Science, University of Tokyo)

15:15 〜 15:30

[9p-S221-7] Si-p/n接合におけるトンネル電流の理論シミュレーション;
界面ポテンシャル変調の効果

〇(M1)趙祥勲¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

15:30 〜 15:45

△ [9p-S221-8] VMCO メモリの動作原理の理論的検討

〇中西徹¹、長川健太²、洗平昌晃³、中山隆史⁴、白石賢二³ (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.千葉大院理)

15:45 〜 16:00

[9p-S221-9] 格子ランダムウォークに基づくReRAM信頼性の数値モデル

〇松田慎平¹、竹内健¹ (1.中央大理工)

16:15 〜 16:30

▲ [9p-S221-10] Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films

〇(D)Jihee Jeon¹、 Shigehisa Shibayama¹、 Osamu Nakatsuka^1,2、 Shigeaki Zaima³ (1.Nagoya Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.、3.IIFS, Nagoya Univ.)

16:30 〜 16:45

[9p-S221-11] Spin on Glassからの固相拡散によるGe中のn型不純物拡散挙動

〇高口遼太郎¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東京大学)

16:45 〜 17:00

△ [9p-S221-12] Ge基板の平坦化RTAを用いたin-situ Ge MOS構造の作製

〇(B)石井寛仁^1,2、石井裕之²、張文馨²、森田行則²、遠藤聡¹、藤代博記¹、前田辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[9p-S221-13] UTB-GeOI チャネル構造における裏面Si パッシベーションの効果

〇張文馨¹、入沢寿史¹、石井裕之¹、内田紀行¹、前田辰郎¹ (1.産総研)

17:15 〜 17:30

[9p-S221-14] F.G.アニールによるMoSi₂/スパッタMoS₂界面コンタクト抵抗低減

〇(DC)松浦賢太朗¹、濱田昌也¹、坂本拓朗¹、谷川晴紀¹、宗田伊理也¹、石原聖也²、角嶋邦之¹、筒井一生¹、小椋厚志²、若林整¹ (1.東京工業大学、2.明治大学)

17:30 〜 17:45

[9p-S221-15] SAM修飾MOSFET型センサの表面電界が感度に与える影響

〇藏本駿介¹、伊部徳朗¹、祖父江琢哉¹、萩原一樹¹、田中貴久¹、高橋綱己²、柳田剛²、内田建¹ (1.慶大理工、2.九大先導研)

一般セッション(口頭講演)

[10a-S221-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:00 S221 (S221)

小野行徳(静岡大)、小寺哲夫(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [10a-S221-1] 物理的に形成されたシリコン3重量子ドットの特性評価

〇溝口来成¹、小田俊理¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

09:15 〜 09:30

[10a-S221-2] シリコン３重量子ドットにおける長距離相互作用

〇(B)太田俊輔¹、平岡宗一郎¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大)

09:30 〜 09:45

[10a-S221-3] 三角形状に並べた三重量子ドットの電流特性の磁場依存性

〇田所雅大¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大工)

09:45 〜 10:00

[10a-S221-4] シリコン量子ドットの高帯域測定に向けた極低温アンプの評価

〇西山伸平¹、小林瑞基¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東京工業大学)

10:00 〜 10:15

[10a-S221-5] 正孔動作シリコン量子ドットデバイス集積化に向けたオフセットバイアスによるポテンシャル変調技術

〇天野亘¹、小林瑞樹¹、西山伸平¹、溝口聖也¹、山岡裕¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大工)

10:15 〜 10:30

△ [10a-S221-6] p型シリコン量子ドット中での正孔スピンg因子の見積もり

〇魏赫男¹、溝口聖也¹、溝口来成¹、小寺哲夫¹ (1.東工大工)

10:45 〜 11:00

△ [10a-S221-7] CMOS 互換プロセスによるスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案

〇(M2)伊藤優希¹、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研)

11:00 〜 11:15

[10a-S221-8] 2トラップ間のチャージポンピング相互作用

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

11:15 〜 11:30

[10a-S221-9] シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR

〇堀匡寛¹、土屋敏章¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

11:30 〜 11:45

[10a-S221-10] ドリフト拡散シミュレーションにおける基盤不純物の離散性に伴った分極効果

〇(B)塚原浩平¹、吉田勝尚²、佐野伸行² (1.筑波大応理、2.筑波大数理)

11:45 〜 12:00

[10a-S221-11] 酸化膜界面近傍に局在する不純物による散乱ポテンシャルの乱雑位相近似

〇(B)菅吉朗¹、吉田勝尚²、佐野伸行² (1.筑波大応理、2.筑波大数理)

一般セッション(口頭講演)

[10p-S221-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 S221 (S221)

入沢寿史(産総研)、内田建(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[10p-S221-1] 【授賞式】第10回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞

〇遠藤哲郎¹ (1.シリコンテクノロジー分科会)

14:00 〜 14:30

[10p-S221-2] [第10回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 基板バイアスを印加した薄膜BOX-SOI SRAMにおける重イオンソフトエラー：線状複数反転により100倍になった感受性

〇小林大輔¹、廣瀬和之¹、伊藤大智²、梯友哉²、川崎治²、牧野高紘³、大島武³、松浦大介⁴、成田貴則⁴、加藤昌浩⁴、石井茂⁴、益川一範⁴ (1.JAXA宇宙研、2.JAXA研開、3.量研、4.三菱重工業(株))

14:30 〜 15:00

[10p-S221-3] [第10回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング

〇筒井一生¹、松下智裕²、名取鼓太郞¹、室隆桂之²、森川良忠³、星井拓也¹、角嶋邦之¹、若林整¹、林好一⁴、松井文彦⁵、木下豊彦² (1.東工大、2.高輝度光科学研究センター、3.阪大、4.名工大、5.分子研)

15:00 〜 15:15

[10p-S221-4] [第10回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] IV族半導体薄膜の固相成長：多結晶でも高移動度

〇都甲薫^1,2、茂藤健太¹、今城利文¹、髙原大地¹、斎藤聖也¹、吉峯遼太¹、末益崇¹ (1.筑波大院数理物質、2.JST さきがけ)

15:30 〜 15:45

[10p-S221-5] 擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能

〇北形大樹¹、松﨑翼¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

15:45 〜 16:00

[10p-S221-6] デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

〇吉田隼¹、北形大樹¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

16:00 〜 16:15

[10p-S221-7] 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用

〇塩津勇作¹、山本修一郎¹、舟窪浩²、黒澤実³、菅原聡¹ (1.東工大未来研、2.東工大材料系、3.東工大電気電子系)

16:15 〜 16:30

△ [10p-S221-8] Multichip-to-Wafer三次元集積化基盤技術の開発 (1)
－テンポラリ接着剤を用いた一括チップ薄化化技術－

〇李晟豪¹、梁芮²、三輪侑紀³、木野久志⁴、福島誉史¹、田中徹^1,2 (1.東北大院工、2.東北大院医工、3.東北大工学部、4.東北大学際研)

16:30 〜 16:45

▼ [10p-S221-9] Technology Platform Development of Multichip-to-Wafer3D Integration (2)
- SiO₂LinerTechnology for Low TemperatureTSV Process -

〇(M1)Rui Liang¹、 Sungho Lee²、 Yuki Miwa³、 Hisashi Kino⁴、 Hisashi Fukushima²、 Tetsu Tanaka^1,2 (1.Grad. Sch. of Biomedical Engineering, Tohoku Univ.、2.Grad. Sch. of Engineering, Tohoku Univ.、3.Sch. of Engineering Tohoku Univ.、4.FRIS, Tohoku Univ.)

16:45 〜 17:00

△ [10p-S221-10] Multichip-to-Wafer 三次元集積化基盤技術の開発 (3)
―異種機能集積化に向けたマイクロバンプ接合技術―

〇三輪侑紀¹、李晟豪²、梁芮³、木野久志⁴、福島誉史²、田中徹^2,3 (1.東北大工、2.東北大院工、3.東北大院医工、4.東北大学際研)

一般セッション(ポスター講演)

[11a-PB3-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月11日(月) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[11a-PB3-1] 非対称な書き込み・読み出しレイテンシを持つReRAMを用いた半導体ストレージシステム

〇安達優¹、松井千尋²、竹内健^1,2 (1.中央大学理工、2.中央大学研究開発機構)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-2] 急峻なSSを持つ“PN-Body-Tied SOI-FET”のTCADを用いた過渡解析

〇森貴之¹、井田次郎¹、遠藤大貴¹ (1.金沢工大)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-3] スパッタエピタキシー法を用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御

〇青柳耀介¹、本橋叡¹、出蔵恭平¹、大久保克己¹、広瀬信光²、笠松章史²、松井敏明²、須田良幸¹、塚本貴広³ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構、3.電気通信大)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-4] P型表水平配向Siナノワイヤのゼーベック係数評価：不純物濃度依存性と水素アニールの効果

〇(B)田邉咲華¹、松川貴²、松木武雄²、渡邉孝信¹、姫田悠矢¹、武澤宏樹¹、目﨑航平¹、平尾修平¹ (1.早大理工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-5] Bi-Te系熱電変換デバイスの半導体接合におけるNi拡散バリアの信頼性

〇恵久春佑寿夫¹、菅原徹¹、菅沼克昭¹、岡嶋道生²、南部修太郎² (1.大阪大学産研、2.Eサーモジェンテック)

09:30 〜 11:30

▲ [11a-PB3-6] Sensing Behavior of Polyaniline Supported Gold Atomic Clusters Propanol Sensor

〇(M1)Yuan Chien¹、 Parthojit Chakraborty¹、 Wan-Ting Chiu²、 Tso-Fu Mark Chang¹、 Takamichi Nakamoto¹、 Masato Sone¹ (1.Tokyo Tech、2.U Tokyo)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-7] AlGaNを用いたソーラーブラインド光検出器の作製と評価

〇奥村貴大¹、小室慎也¹、鳥羽隆一²、田邉匡生¹、大橋隆宏²、小山裕¹ (1.東北大院工、2.東北大院環)

09:30 〜 11:30

▲ [11a-PB3-8] A Graphene Hall Element and CMOS monolithic Integrated Circuit

Chengying Chen¹、 Yijun Cai¹、〇YI CHEN¹ (1.Xiamen Univ of technology)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-9] ペロブスカイト太陽電池と単結晶シリコンCMOS論理回路のガラス基板上における集積化

〇(M2)長澤聡¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-10] 磁場による中性無電解銅めっき促進効果に対する理論的検討

〇田邊怜志¹、杉浦修¹ (1.千葉工大工)

09:30 〜 11:30

[11a-PB3-11] アモルファスWSi_n膜の実効仕事関数

〇岡田直也¹、内田紀行¹、小川真一¹、金山敏彦¹ (1.産総研)

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