[11a-PB3-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[11a-PB3-11] Amorphous WSi_n films as a low effective-work-function material

〇Naoya Okada¹, Noriyuki Uchida¹, Shinichi Ogawa¹, Toshihiko Kanayama¹ (1.AIST)

Keywords:Gate, Silicide, CVD

アモルファスWSi_n膜は熱酸化膜上で~4.0 eVのSiの伝導帯端に相当する小さな実効仕事関数を示す。一般に仕事関数が小さい材料は反応性が高く不安定であるのに対し、この材料は安定性が高い。従って、WSi_n膜は、nFET用のゲートスタックへの適用が期待される。