A study of GaAsSb / InGaAs Double-Gate Tunnel FET considering quantum effect

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[9p-S221-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Sat. Mar 9, 2019 1:45 PM - 5:45 PM S221 (S221)

Jiro Ida(Kanazawa Inst. of Tech.), Noriyuki Taoka(AIST)

2:30 PM - 2:45 PM

〇Naoya Nogami¹, Koichi Fukuda^1,2, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.AIST)

Keywords:Tunnel FET

量子効果を考慮したシミュレーションによりダブルゲートヘテロTFETの検討を行った。組成比により実効的なバンドギャップを調整することで電源電圧0.5Vでのオン電流とゲート容量によってITRSの2028年の真性遅延を達成できる可能性を見出した。