[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-2] 超平坦ZnSnOチャネルによる積層型TFETサブスレショルド特性の改善

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：TFET、酸化物半導体、ZnSnO

省電力なスイッチング素子として、我々は、n 型酸化物半導体チャネルとp 型IV 族半導体ソースを積層させた、Type-II エネルギーバンド構造を有する積層型TFET を提案している。本研究では、サブスレショルド特性の改善を目的とし、アモルファス酸化物半導体によるチャネル膜厚揺らぎの極めて小さな素子を検討した。アモルファスZnSnOチャネルにより、多結晶ZnOチャネルに対して平均SS値を大幅に低減可能であることが明らかとなった。